题目：原子层沉积技术——从工艺到器件到装备研发
时间：2026年12月1日 15:00-16:30
地点：机械与动力工程学新工程馆252会议室
邀请人：刘苏萌 助理教授（微纳工程科学研究中心）
报告人简介
丁星伟，上海大学教授、上海平板显示工程技术研究中心副主任，主要从事ALD的装备开发、氧化物TFT、工艺开发等相关研究，研究成果发表于IEEE EDL, IEEE TED, APL等期刊。曾获上海市科技进步奖一等奖（排4）、山东省电子学会科学技术奖（排2）、上海真空青年创新奖，入选上海市青年科技英才扬帆计划。主持国家重点研发计划子课题、国家自然科学基金面上项目等课题5项。
报告摘要
近年来前驱体材料、设备、半导体技术的快速发展，原子层沉积技术（ALD）在科研和产业中得以广泛应用。本报告分享团队在ALD工艺、器件和装备开发领域十五年的经验，特别是复杂制程的工艺理解和装备解决方案。研究基于自主研发的ALD装备，实现了高质量介电材料及半导体材料的构筑，探究了ALD技术的半导体阴离子掺杂技术，IGZO薄膜生长中的互蚀问题，实现了高迁移率大于62 cm2/Vs的IGZO-TFT器件，达到量产指标。同时介绍ALD技术在防腐涂层、薄膜封装、异形件等中的应用和定制化方案。
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